Транзистор N-MOSFET Infineon IPB025N10N3GATMA1, 100В, 180А, 300Вт, PG-TO263-7 (5 шт.)
2 650 ₴
- В наявності
- Код: TM203401
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB025N10N3GATMA1, 100В, 180А, 300Вт, PG-TO263-7 (5 шт.)В наявності
2 650 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPB025N10N3GATMA1. Це польовий транзистор з каналом типу N, призначений для поверхневого монтажу. У комплекті 5 штук.
- Тип транзистора: Польовий
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Максимальний струм стоку: 180 А
- Потужність розсіювання: 300 Вт
- Опір у відкритому стані: 2.5 мОм
- Корпус: PG-TO263-7
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 100 В, а максимально допустимий струм стоку — 180 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 300 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) — 2.5 мОм.
Конструкція та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі PG-TO263-7. Тип монтажу — поверхневий. Технологія виготовлення — OptiMOS™ 3.
Комплектація
У наборі 5 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 180 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO263-7 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 650 ₴