
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA80R360P7XKSA1, 800 В, 8.6 А, TO220FP (набір 10 шт.)
2 830 ₴
- В наявності
- Код: TM203399
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPA80R360P7XKSA1. Це польовий транзистор з максимальною напругою стік-витік 800 В та струмом стоку 8.6 А у корпусі TO220FP.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 800 В
- Максимальний струм стоку: 8.6 А
- Опір у відкритому стані (Rds): 360 мОм
- Корпус: TO220FP, монтаж вставний
- Технологія: CoolMOS™ P7, версія ESD
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з максимальною напругою стік-витік 800 В та максимальною напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 8.6 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 360 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 30 Вт.
Конструкція та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі TO220FP з вставним типом монтажу. Використовується технологія CoolMOS™ P7, а версія має позначку ESD. Канал транзистора — збагачуваний, поляризація — уніполярна.
Імпульсний струм та поляризація
У наборі поставляється 10 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 360 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | CoolMOS™ P7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 830 ₴
