Транзистор N-MOSFET Infineon IPA80R1K4P7XKSA1, 800 В, 2,7 А, 24 Вт (TO220FP, 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPA80R1K4P7XKSA1. Це польовий транзистор з технологією CoolMOS™ P7 у корпусі TO220FP, розрахований на максимальну напругу 800 В та струм 2,7 А.

• Максимальна напруга стік-витік: 800 В
• Струм стоку: 2,7 А (імпульсний 8,9 А)
• Потужність розсіювання: 24 Вт
• Технологія: CoolMOS™ P7
• Корпус: TO220FP, вставний монтаж
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 800 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 2,7 А, а імпульсний струм — 8,9 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 1400 мОм.

Потужність та конструкція

Максимальна потужність розсіювання становить 24 Вт. Транзистор виготовлений за технологією CoolMOS™ P7 та має версію ESD. Корпус TO220FP забезпечує вставний тип монтажу.

У комплекті поставляється 20 транзисторів.