Транзистор N-MOSFET Infineon IPA80R1K4CE, 800 В, 3,9 А, TO220FP (набір 20 шт.)
3 480 ₴
- В наявності
- Код: TM203397
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA80R1K4CE, 800 В, 3,9 А, TO220FP (набір 20 шт.)В наявності
3 480 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPA80R1K4CEXKSA2. Це польовий транзистор з максимальним струмом стоку 3,9 А та напругою стік-витік 800 В. Товар поставляється набором із 20 штук у корпусі TO220FP.
- Максимальна напруга стік-витік: 800 В
- Максимальний струм стоку: 3,9 А
- Потужність розсіювання: 31 Вт
- Опір у відкритому стані: 1220 мОм
- Корпус: TO220FP
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 31 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) становить 1220 мОм. Заряд затвора: 23 нКл.
Конструкція та монтаж
Використовується вставний тип монтажу. Корпус: TO220FP. Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode), а полярність — уніполярна.
Комплектація
У комплекті надається 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 31 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1220 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 480 ₴