Транзистор N-MOSFET Infineon IPA65R280E6XKSA1, 650 В, 13.8 А, TO220FP (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPA65R280E6XKSA1. Це польовий транзистор з каналом збагачення, що працює з напругою стік-витік до 650 В та струмом стоку до 13.8 А.

• Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Максимальний струм стоку: 13.8 А
• Потужність розсіювання: 32 Вт
• Корпус: TO220FP
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 650 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний струм стоку дорівнює 13.8 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 280 mOm. Максимальна потужність розсіювання — 32 Вт.

Конструкція та монтаж

Транзистор виготовлений у корпусі TO220FP. Тип монтажу — вставний. Використовується технологія CoolMOS™.

Полярність та канал транзистора

Транзистор має канал збагачення та є уніполярним. Це визначає його поведінку як польового транзистора з відповідним типом керування каналом. У комплекті 10 шт.