Транзистор N-MOSFET SiC Infineon IMZA65R048M1HXKSA1, 650 В, 24 А, 125 Вт (3 шт.)

Транзистор N-MOSFET на основі карбіду кремнію (SiC) від бренду Infineon Technologies. Модель IMZA65R048M1HXKSA1 характеризується напругою стік-витік 650 В та струмом стоку 24 А. У комплекті постачається 3 одиниці компонента.

• Напруга стік-витік: 650 В
• Струм стоку: 24 А
• Потужність розсіювання: 125 Вт
• Опір відкритого стану: 63 мОм
• Корпус: TO247-4
• Кількість у наборі: 3 шт.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік становить 650 В, що визначає робочий діапазон транзистора. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 24 А, а піковий струм у імпульсному режимі — 100 А. Опір у відкритому стані (Rds) зафіксований на рівні 63 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 125 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією CoolSiC™ та має корпус TO247-4. Тип монтажу — вставний. Транзистор є польовим, з каналом збагачення та уніполярною поляризацією. Корпус оснащений виведенням Кельвіна.

Комплектація

У наборі знаходиться 3 транзистори. Кількість у комплекті вказана як 3 шт.