
Транзистор IGBT Infineon IKW25N120H3FKSA1, 1200 В, 50 А, TO247-3 (набір 5 шт.)
2 500 ₴
- В наявності
- Код: TM203354
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IGBT виробництва Infineon Technologies, модель IKW25N120H3FKSA1. Максимальна напруга колектор-емітер становить 1200 В, максимально допустимий струм колектора — 50 А. У комплекті поставляється 5 одиниць.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимальна напруга: 1200 В
- Струм колектора: 50 А
- Потужність розсіювання: 326 Вт
- Корпус: TO247-3
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга колектор-емітер становить 1200 В, що визначає клас напруги компонента. Максимально допустимий струм колектора — 50 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 326 Вт. Заряд затвора — 115 нКл.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO247-3. Тип монтажу — в отвори друкованої плати (THT). Технологія виготовлення — TRENCHSTOP™ 3. Інтегрований антипаралельний діод (integrated anti-parallel diode) є частиною структури транзистора. Напруга затвор-емітер (Напруга bramka - emiter) — ±20 В.
Комплектація
У наборі 5 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 326 Вт |
| Максимально допустимий струм колектора | 50 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Технологія | TRENCHSTOP™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 500 ₴
