Транзистор GeneSiC G3R350MT12D, N-MOSFET SiC, 1200 В, 8 А, 74 Вт (набір 10 шт.)

Транзистор GeneSiC G3R350MT12D — це польовий N-MOSFET на основі карбіду кремнію (SiC) з технологією G3R™. Пристрій має максимальну напругу затвор-витік 15 В, струм стоку 8 А та розсіює потужність до 74 Вт. У комплекті поставляється 10 одиниць у корпусі TO247-3. Імпульсний струм стоку становить 16 А, а заряд затвора — 12 нКл.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET на SiC
• Максимальна напруга затвор-витік: 15 В
• Максимальний струм стоку: 8 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 350 мОм
• Потужність розсіювання: 74 Вт
• Корпус: TO247-3, монтаж вставний
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою затвор-витік 15 В та витримує постійний струм стоку 8 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 350 мОм, що визначає його провідність при відкритому каналі. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 74 Вт, що вказує на тепловий режим роботи компонента.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі TO247-3. Тип монтажу — вставний (THT), що передбачає встановлення в отвори друкованої плати. Канал транзистора є збагачуваним (wzbogacany), а полярність — уніполярною.

Додаткові параметри та комплектація

У наборі міститься 10 транзисторів GeneSiC G3R350MT12D.