Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06T, -60В, -60А, TO220 (30 шт.)

Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06T — польовий транзистор із каналом збагачення та технологією Trench. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі TO220.

• Тип транзистора: Польовий (P-MOSFET)
• Максимальна потужність розсіювання: 115 Вт
• Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В
• Корпус: TO220
• Тип монтажу: Вставний
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Максимальна напруга затвор-витік становить 20 В, а максимальна потужність розсіювання — 115 Вт. Згідно з даними виробника, пристрій розрахований на струм -60 А та напругу -60 В. Поляризація транзистора — уніполярна.

Конструкція та монтаж

Тип монтажу — вставний (THT). Корпус TO220 забезпечує стандартне кріплення для радіоелементів. Технологія виготовлення — Trench, що впливає на характеристики ключа.

Комплектація

У наборі 30 транзисторів GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06T.