Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G200N03S2, N-MOSFET, 30 В, 7 А, SOP8 (G200N03S2-GFS) — набір 30 шт.

Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G200N03S2 — це польовий N-MOSFET транзистор з технологією Trench. Прилад має максимальну напругу стік-витік 30 В, струм стоку 7 А та потужність розсіювання 2 Вт. Корпус SOP8 забезпечує поверхневий монтаж.

• Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 30 В
• Максимальний струм стоку: 7 А
• Потужність розсіювання: 2 Вт
• Корпус: SOP8
• Тип монтажу: Поверхневий
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 30 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 7 А. Потужність розсіювання обмежена значенням 2 Вт.

Конструкція та монтаж

Прилад виготовлений у корпусі SOP8, що призначений для поверхневого монтажу. Це польовий транзистор з каналом типу N (N-MOSFET). У комплекті поставляється 30 штук.