Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G11S, -20 В, -11 А, 3,3 Вт, SOP8 (набір 30 шт.)
2 020 ₴
- В наявності
- Код: TM202884
Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G11S, -20 В, -11 А, 3,3 Вт, SOP8 (набір 30 шт.)В наявності
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G11S з каналом P-типу (P-MOSFET) у корпусі SOP8 для поверхневого монтажу. У наборі 30 шт.
- Тип: P-MOSFET
- Напруга стік-витік: -20 В
- Струм стоку: -11 А
- Потужність розсіювання: 3,3 Вт
- Корпус: SOP8
- Кількість у наборі: 30 шт.
Електричні параметри
Напруга стік-витік — -20 В, струм стоку — -11 А, максимальна потужність розсіювання — 3,3 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік — 12 В. Заряд затвора — 47 нКл.
Технологія
Технологія виготовлення — Trench. Тип каналу — збагачений (режим збагачення), полярність — уніполярний транзистор.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 3.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOP8 |
| Виробник | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 020 ₴