Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD6N40CTM, 400 В, 2,7 А, DPAK (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD6N40CTM — це польовий транзистор з каналом типу n. Модель виконана в корпусі DPAK та має максимальну напругу стік-витік 400 В.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 400 В
• Максимальний струм стоку: 2,7 А
• Потужність розсіювання: 48 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж поверхневий
• Кількість у наборі: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 400 В та напругою затвор-витік 30 В. Максимальний струм стоку становить 2,7 А, а потужність розсіювання — 48 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 1000 мОм.

Конструкція та монтаж

Пристрій виготовлений за технологією QFET® та має корпус DPAK. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode).

Комплектація

У наборі постачається 20 транзисторів ONSEMI FQD6N40CTM. Символ виробника: FQD6N40CTM. Поляризація транзистора — уніполярна. Заряд затвора становить 20 нКл.