Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD3P50TM, -500 В, -1,33 А, 50 Вт, DPAK (набір 20 шт.)
3 600 ₴
- В наявності
- Код: TM202863
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD3P50TM, -500 В, -1,33 А, 50 Вт, DPAK (набір 20 шт.)В наявності
3 600 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD3P50TM у корпусі DPAK — польовий (уніполярний) транзистор із каналом P-типу. У наборі 20 шт.
- Напруга: -500 В
- Струм: -1,33 А
- Потужність розсіювання: 50 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 4900 мОм
- Корпус: DPAK
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні параметри
Напруга — -500 В, струм — -1,33 А, максимальна потужність розсіювання — 50 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік — 30 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 4900 мОм. Заряд затвора — 23 нКл.
Конструкція та технологія
Тип монтажу — поверхневий. Тип каналу — збагачуваний. Технологія — QFET®.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 50 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4900 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 600 ₴