Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD17P06TM, DPAK, 25 В (набір 20 шт.)

P-канальний польовий транзистор ONSEMI FQD17P06TM у корпусі DPAK. Пристрій має максимальну напругу затвор-витік 25 В та опір у відкритому стані 135 мОм.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Корпус: DPAK, поверхневий монтаж
• Максимальна потужність розсіювання: 44 Вт
• Максимальна напруга затвор-витік: 25 В
• Опір у відкритому стані (Rds): 135 мОм
• Технологія: QFET®
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор є уніполярним P-MOSFET з каналом збагачення (enhancement mode). Максимальна потужність розсіювання становить 44 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 25 В, а опір у відкритому стані (Rds) — 135 мОм.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією QFET® і має корпус DPAK. Тип монтажу — поверхневий (SMT). Загальний заряд затвора становить 27 нКл.

Комплектація

У наборі 20 шт. Транзистор призначений для поверхневого монтажу (SMT) на друковані плати. Корпус DPAK. Технологія QFET® визначає структуру пристрою. Канал збагачення (enhancement mode).