Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQB27P06TM, -60 В, -19,1 А, 120 Вт, D2PAK (набір 10 шт.)
2 500 ₴
- В наявності
- Код: TM202860
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQB27P06TM, -60 В, -19,1 А, 120 Вт, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
2 500 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQB27P06TM у корпусі D2PAK — польовий (уніполярний) транзистор із каналом P-типу. У наборі 10 шт.
- Напруга: -60 В
- Струм: -19,1 А
- Потужність розсіювання: 120 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 70 мОм
- Корпус: D2PAK
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Напруга — -60 В, струм — -19,1 А, максимальна потужність розсіювання — 120 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік — 25 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 70 мОм. Заряд затвора — 43 нКл.
Конструкція та технологія
Тип монтажу — поверхневий. Тип каналу — збагачуваний. Технологія — QFET®.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 120 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 70 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 500 ₴