Транзистор ONSEMI FQB12P20TM, P-MOSFET, 120 Вт, D2PAK (набір 10 шт.)
2 500 ₴
- В наявності
- Код: TM202859
Транзистор ONSEMI FQB12P20TM, P-MOSFET, 120 Вт, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
2 500 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний польовий транзистор ONSEMI FQB12P20TM у корпусі D2PAK. Пристрій має максимальну напругу затвор-витік 30 В та розсіює потужність до 120 Вт.
- Тип транзистора: P-MOSFET (польовий)
- Максимальна потужність розсіювання: 120 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 470 мОм
- Максимальна напруга затвор-витік: 30 В
- Корпус: D2PAK, монтаж поверхневий
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним P-MOSFET із опором відкритого стану 470 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 30 В. Прилад розсіює потужність до 120 Вт.
Конструкція та монтаж
Компонент виготовлений за технологією QFET® у корпусі D2PAK. Тип монтажу — поверхневий.
Комплектація
У наборі поставляється 10 шт. транзисторів. Канал транзистора — збагачений (wzbogacany). Поляризація — уніполярна. Заряд затвора становить 40 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 120 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 470 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 500 ₴