Транзистор IXYS FMM50-025TF N-MOSFET 250В 30А (набір 2 шт.)

Транзистор IXYS FMM50-025TF — це польовий N-MOSFET з технологією Trench та напругою стік-витік 250 В. У комплекті постачається 2 одиниці компонента в корпусі ISOPLUS i4-pac™ x024a.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 250 В
• Максимальний струм стоку: 30 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 60 мОм
• Кількість у комплекті: 2 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 250 В, а струм стоку — 30 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 60 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 125 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент має вставний тип монтажу та структуру напівпровідника «подвійна послідовна». Використовується технологія HiPerFET™, Trench. Поляризація транзистора — уніполярна, канал збагачуваний. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 30 В, а заряд затвора — 78 нКл. Час готовності дорівнює 84 нс. Імпульсний струм стоку може досягати 130 А.