Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDT86113LZ, 100 В, 3,3 А, SOT223 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDT86113LZ — польовий транзистор з каналом збагачення в корпусі SOT223. Максимальна напруга стік-витік становить 100 В, струм стоку — 3,3 А, потужність розсіювання — 2,2 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий, канал збагачення)
• Максимальна напруга стік-витік: 100 В
• Максимальний струм стоку: 3,3 А
• Максимальна потужність розсіювання: 2,2 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 189 мОм
• Корпус: SOT223, поверхневий монтаж
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимальною напругою стік-витік 100 В та максимальною напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 3,3 А, а опір у відкритому стані (Rds) — 189 мОм. Максимальна потужність розсіювання обмежена значенням 2,2 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у поверхневому монтажі (SMD) у корпусі SOT223. Тип транзистора — польовий, з каналом збагачення (wzbogacany), що відповідає стандартній конфігурації N-MOSFET.

Комплектація та ідентифікація

У наборі постачається 20 шт. транзисторів.