Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS6681Z, -30В, -20А, SO8 (набір 10 шт.)
2 610 ₴
- В наявності
- Код: TM202813
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS6681Z, -30В, -20А, SO8 (набір 10 шт.)В наявності
2 610 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний польовий транзистор ONSEMI FDS6681Z у корпусі SO8. Має максимальну напругу -30 В та струм -20 А.
- Тип транзистора: P-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга затвор-витік: 25 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 6,5 мОм
- Максимальна потужність розсіювання: 2,5 Вт
- Корпус: SO8, монтаж: поверхневий
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу затвор-витік 25 В та опір у відкритому стані 6,5 мОм. Максимальна потужність розсіювання становить 2,5 Вт. Заряд затвора дорівнює 260 нКл.
Конструкція та монтаж
Компонент виготовлений за технологією PowerTrench® у поверхневому корпусі SO8. Канал транзистора — збагачуваний (enhancement mode).
Комплектація
У наборі 10 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 610 ₴