Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS6675BZ, -30 В, -11 А, 2,5 Вт, SO8 (набір 20 шт.)
2 310 ₴
- В наявності
- Код: TM202812
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS6675BZ, -30 В, -11 А, 2,5 Вт, SO8 (набір 20 шт.)В наявності
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS6675BZ у корпусі SO8, технологія PowerTrench®. Основні параметри — -30 В і -11 А, максимальна потужність розсіювання — 2,5 Вт. У наборі 20 шт.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний
- Параметри: -30 В, -11 А
- Потужність розсіювання: 2,5 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 21,8 мОм
- Корпус: SO8
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга затвор-витік — 25 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 21,8 мОм, заряд затвора — 35 нКл.
Конструкція
Тип монтажу — поверхневий. Полярність — уніполярний, режим каналу — збагачення.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 21.8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 310 ₴