Транзистор ONSEMI FDS6673BZ, P-MOSFET, SO8, комплект 20 шт.
2 490 ₴
- В наявності
- Код: TM202811
Транзистор ONSEMI FDS6673BZ, P-MOSFET, SO8, комплект 20 шт.В наявності
2 490 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI FDS6673BZ — це польовий транзистор типу P-MOSFET у корпусі SO8. У комплекті поставляється 20 штук.
- Тип транзистора: Польовий (P-MOSFET)
- Корпус: SO8, поверхневий монтаж
- Максимальна потужність: 2,5 Вт
- Напруга затвор-витік: 25 В
- Опір у відкритому стані: 12 мОм
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 2,5 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 25 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 12 мОм.
Конструкція та монтаж
Виріб виконаний у поверхневому монтажі (SMD). Корпус — SO8. Використовується технологія PowerTrench®.
Комплектація
У наборі 20 транзисторів ONSEMI FDS6673BZ.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 12 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 490 ₴