Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS5670, 60В, 10А, SO8 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDS5670 — це польовий транзистор з каналом, що збагачується, у корпусі SO8. Прилад розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 10 А при потужності розсіювання 2,5 Вт.

• Тип: N-MOSFET, польовий транзистор
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стоку: 10 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 27 мОм
• Корпус: SO8, поверхневий монтаж
• Кількість у наборі: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 60 В та максимально допустимий струм стоку 10 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 27 мОм. Максимальна потужність розсіювання обмежена 2,5 Вт, а напруга затвор-витік не повинна перевищувати 20 В.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією PowerTrench® у корпусі SO8. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode), а полярність — уніполярною.

Заряд та керування затвором

Заряд затвора становить 70 нКл. Канал транзистора є збагачуваним, тому для відкривання потрібна додатна напруга на затворі відносно витоку. Полярність приладу — уніполярна. Максимальна напруга затвор-витік обмежена 20 В.