Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPF12N50T, 500 В, 6,9 А, TO220FP (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPF12N50T — це польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на напругу 500 В та струм 6,9 А. Прилад виготовлений у корпусі TO220FP із технологією UniFET™ і постачається набором із 20 штук.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 500 В
• Максимальний струм стоку: 6,9 А
• Потужність розсіювання: 42 Вт
• Корпус: TO220FP, монтаж вставний
• Кількість у наборі: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 500 В та максимально допустимий струм стоку 6,9 А. Напруга затвор-витік обмежена значенням 30 В. Опір у відкритому стані (Rds) становить 650 мОм.

Потужність та конструкція

Максимальна потужність розсіювання дорівнює 42 Вт. Транзистор виконаний у корпусі TO220FP із вставним типом монтажу. Використовується технологія UniFET™, а канал є збагаченим (wzbogacany). Поляризація приладу — уніполярна.

Комплектація

У комплекті постачається 20 транзисторів FDPF12N50T. Символ TME: FDPF12N50T. Заряд затвора становить 30 нКл.