Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP52N20, 200В, 33А, TO220AB (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDP52N20 — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі TO220AB. Модель розрахована на максимальну напругу стік-витік 200 В та струм стоку 33 А при потужності розсіювання 357 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 200 В
• Максимальний струм стоку: 33 А
• Потужність розсіювання: 357 Вт
• Опір у відкритому стані: 49 мОм
• Корпус: TO220AB, монтаж вставний
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 200 В та максимально допустимий струм стоку 33 А. Максимальна потужність розсіювання становить 357 Вт, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 49 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена значенням 30 В.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією PowerTrench® у корпусі TO220AB. Тип монтажу — вставний (THT). Транзистор є уніполярним з каналом збагачення (wzbogacany).

Комплектація та додаткові параметри

У наборі постачається 10 транзисторів FDP52N20.