Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN5618P, SuperSOT-3, -60 В, -1,25 А (комплект 40 шт.)

Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN5618P у корпусі SuperSOT-3. Це польовий транзистор з каналом збагачення, що працює при напрузі затвор-витік до 20 В та має опір у відкритому стані 230 мОм.

• Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
• Корпус: SuperSOT-3
• Максимальна напруга затвор-витік: 20 В
• Опір у відкритому стані: 230 мОм
• Потужність розсіювання: 0,46 Вт
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу затвор-витік 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) становить 230 мОм. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 0,46 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією PowerTrench®. Корпус SuperSOT-3 призначений для поверхневого монтажу. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення.

Додаткові характеристики та комплектація

У комплекті поставляється 40 шт. транзисторів. Заряд затвора становить 13,8 нКл. Транзистор має логічний рівень керування (logic level).