Транзистор ONSEMI FDN358P, P-MOSFET, SuperSOT-3, 30 шт.
2 010 ₴
- В наявності
- Код: TM202806
Транзистор ONSEMI FDN358P, P-MOSFET, SuperSOT-3, 30 шт.В наявності
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI FDN358P — це польовий P-MOSFET у корпусі SuperSOT-3. Комплект складається з 30 одиниць.
- Тип транзистора: Польовий
- Корпус: SuperSOT-3
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Напруга затвор-витік: 20 В
- Опір у відкритому стані: 200 мОм
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 0,5 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 200 мОм.
Конструкція та монтаж
Тип монтажу — поверхневий. Корпус компонента — SuperSOT-3. Використовується технологія PowerTrench®.
Додаткові характеристики та комплектація
У наборі 30 шт. Заряд затвора становить 5,6 нКл. Транзистор має логічний рівень керування (logic level). Канал збагачуваний (enhancement mode). Поляризація — уніполярна.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 200 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 010 ₴