Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN336P, SuperSOT-3, набір 30 шт.
1 930 ₴
- В наявності
- Код: TM202805
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN336P, SuperSOT-3, набір 30 шт.В наявності
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN336P у корпусі SuperSOT-3. Це польовий транзистор з каналом збагачення та технологією PowerTrench®, призначений для поверхневого монтажу.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Корпус: SuperSOT-3
- Максимальна потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 320 мОм
- Заряд затвора: 5 нКл
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри та характеристики
Максимальна потужність розсіювання становить 0,5 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 320 мОм. Заряд затвора — 5 нКл. Транзистор має логічний рівень керування (logic level) та канал збагачення.
Конструкція та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі SuperSOT-3 з типом монтажу «поверхневий». Виріб є однополярним (unipolarny) та виготовлений за технологією PowerTrench®.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 320 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 930 ₴