Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN308P, -20 В, -1,5 А, 0,5 Вт, SuperSOT-3 (набір 50 шт.)
1 910 ₴
- В наявності
- Код: TM202804
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN308P, -20 В, -1,5 А, 0,5 Вт, SuperSOT-3 (набір 50 шт.)В наявності
1 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор P-MOSFET ONSEMI FDN308P у корпусі SuperSOT-3, технологія PowerTrench®. Основні параметри — -20 В і -1,5 А, максимальна потужність розсіювання — 0,5 Вт. У наборі 50 шт.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний
- Параметри: -20 В, -1,5 А
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 190 мОм
- Корпус: SuperSOT-3
- Кількість у наборі: 50 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга затвор-витік — 12 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 190 мОм, заряд затвора — 5,4 нКл. Властивість — керування логічним рівнем (logic level).
Конструкція
Тип монтажу — поверхневий. Полярність — уніполярний, режим каналу — збагачення.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | SuperSOT-3 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 910 ₴