Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMS8460, 40 В, 49 А, PQFN8 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDMS8460 — це польовий транзистор з каналом типу N. Модель має максимальну напругу стік-витік 40 В та струм стоку 49 А. Корпус PQFN8 забезпечує поверхневий монтаж на друковану плату.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 40 В
• Максимальний струм стоку: 49 А
• Потужність розсіювання: 104 Вт
• Опір у відкритому стані: 3.3 мОм
• Корпус: PQFN8, монтаж поверхневий
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор FDMS8460 характеризується максимально допустимою напругою стік-витік 40 В та максимально допустимою напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 49 А, а максимальна потужність розсіювання — 104 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 3.3 мОм.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі PQFN8, що передбачає поверхневий тип монтажу (SMD). Технологія виробництва PowerTrench®. Полярність транзистора — уніполярна, канал — збагачуваний (enhancement mode).

Технічні особливості та комплектація

Товар постачається у вигляді набору, що містить 20 одиниць транзисторів FDMS8460. Заряд затвора становить 110 нКл.