Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD120AN15A0, 150 В, 14 А, DPAK (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDD120AN15A0 — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі DPAK. Прилад розрахований на максимальну напругу стік-витік 150 В та струм стоку 14 А при потужності розсіювання 65 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 150 В
• Максимальний струм стоку: 14 А
• Потужність розсіювання: 65 Вт
• Опір у відкритому стані: 282 мОм
• Корпус: DPAK, монтаж поверхневий
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 150 В та максимально допустимий струм стоку 14 А. Максимальна потужність розсіювання становить 65 Вт, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 282 мОм. Напруга затвор-витік обмежена значенням 20 В.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією PowerTrench® у корпусі DPAK. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Поляризація транзистора — уніполярна, тип каналу — збагачуваний.

Комплектація

У наборі постачається 20 шт. транзисторів.