
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC606P, SuperSOT-6, комплект 20 шт.
1 970 ₴
- В наявності
- Код: TM202798
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC606P у корпусі SuperSOT-6. Комплект складається з 20 одиниць.
- Тип транзистора: Польовий
- Максимальна потужність розсіювання: 1,6 Вт
- Максимально допустима напруга затвор-витік: 8 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 53 мОм
- Корпус: SuperSOT-6
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 1,6 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 8 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 53 мОм.
Конструкція та монтаж
Тип монтажу — поверхневий. Корпус — SuperSOT-6. Технологія виготовлення — PowerTrench®.
Додаткові характеристики та комплектація
У комплекті 20 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.6 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 53 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технологія | PowerTrench® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 970 ₴
