Транзистор ONSEMI FDC602P, P-MOSFET, SuperSOT-6, набір 30 шт.
2 620 ₴
- В наявності
- Код: TM202797
Транзистор ONSEMI FDC602P, P-MOSFET, SuperSOT-6, набір 30 шт.В наявності
2 620 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
P-канальний польовий транзистор ONSEMI FDC602P у корпусі SuperSOT-6. Призначений для поверхневого монтажу, має максимальну потужність розсіювання 1,6 Вт та опір у відкритому стані 53 мОм.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Корпус: SuperSOT-6
- Тип монтажу: поверхневий
- Максимальна потужність розсіювання: 1,6 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 53 мОм
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (MOSFET) з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) та полярністю «unipolarny» (уніполярний). Максимальна потужність розсіювання становить 1,6 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 53 мОм.
Комплектація
У наборі постачається 30 транзисторів. Корпус компонента — SuperSOT-6.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 53 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 620 ₴