Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB52N20TM, 200 В, 52 А, D2PAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB52N20TM — це польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на максимальну напругу стік-витік 200 В та струм стоку 52 А. Прилад виготовлений за технологією UniFET™ у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу.

• Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 200 В
• Максимальний струм стоку: 52 А
• Потужність розсіювання: 357 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 49 mOm
• Корпус: D2PAK, монтаж поверхневий
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 200 В, а напруга затвор-витік — 30 В. Максимальний струм стоку дорівнює 52 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 49 mOm. Загальна потужність розсіювання — 357 Вт.

Конструкція та монтаж

Транзистор має тип монтажу «Поверхневий» та виконаний у корпусі D2PAK. Прилад є уніполярним із каналом збагачення (wzbogacany). Технологія виготовлення — UniFET™.

Комплектація

У комплекті поставляється 10 шт. транзисторів.