Транзистор N-MOSFET EVERLIGHT EL-MAKR02120PA SiC 1200В 90А

Транзистор N-MOSFET від бренду EVERLIGHT, модель EL-MAKR02120PA. Це силовий напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-4 з виведенням Кельвіна. Ключові параметри: напруга 1200 В, струм стоку 90 А та потужність розсіювання 465 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Технологія виготовлення: SiC (карбід кремнію)
• Максимальна напруга: 1200 В
• Максимальний струм стоку: 90 А
• Потужність розсіювання: 465 Вт
• Корпус: TO247-4 з виведенням Кельвіна

Електричні параметри

Прилад працює з максимально допустимою напругою затвор-витік 18 В та напругою стік-витік 1200 В. Максимальний постійний струм стоку становить 90 А, а імпульсний струм може досягати 231 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 50 мОм.

Конструкція та монтаж

Транзистор виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію) у корпусі TO247-4. Тип монтажу — вставний. Корпус має виведення Кельвіна. Канал транзистора — збагачуваний, полярність — уніполярна. Заряд затвора становить 0,22 мкКл.