Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMT10H015SK3-13, 100В, 43А, TO252 (набір 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET від Diodes Incorporated, модель DMT10H015SK3-13. Це польовий транзистор з максимальним струмом стоку 43 А та напругою стік-витік 100 В. У комплекті 30 штук.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальний струм стоку: 43 А
• Напруга стік-витік: 100 В
• Потужність розсіювання: 2,9 Вт
• Корпус: TO252, монтаж поверхневий
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну потужність розсіювання 2,9 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В, а стік-витік — 100 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 43 А, а опір у відкритому стані (Rds) — 11,1 мОм.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO252. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Транзистор є уніполярним з каналом типу «wzbogacany» (збагачений).

Додаткові характеристики та комплектація

У наборі 30 транзисторів.