Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMPH6050SK3-13, набір 20 шт., TO252

Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMPH6050SK3-13 — це польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для поверхневого монтажу.

• Тип транзистора: Польовий (P-MOSFET)
• Максимальна потужність розсіювання: 3,8 Вт
• Напруга затвор-витік: 20 В
• Опір у відкритому стані (Rds): 70 мОм
• Корпус: TO252
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Максимальна напруга затвор-витік становить 20 В, а максимальна потужність розсіювання — 3,8 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 70 мОм. Згідно з даними магазину, максимальний струм у імпульсі (Idm) — -40 А, а заряд затвора — 25 нКл. Максимальна напруга стік-витік (Vds) становить -60 В, а постійний струм стіка (Id) — -6 А.

Конструкція та монтаж

Транзистор має тип монтажу «Поверхневий» (SMD) та корпус TO252. Поляризація транзистора — уніполярна, тип каналу — збагачуваний (enhancement). Корпус: TO252.