Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP2035UVT-7, 1.2 Вт, TSOT26 — набір 40 шт.
2 350 ₴
- В наявності
- Код: TM202623
Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP2035UVT-7, 1.2 Вт, TSOT26 — набір 40 шт.В наявності
2 350 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP2035UVT-7 — це польовий транзистор з каналом p-типу в корпусі TSOT26. Прилад має максимальну потужність розсіювання 1.2 Вт та опір у відкритому стані 62 мОм.
- Тип транзистора: польовий P-MOSFET
- Корпус: TSOT26
- Тип монтажу: поверхневий
- Максимальна потужність розсіювання: 1.2 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 62 мОм
- Максимальна напруга затвор-витік: 12 В
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор є польовим (FET) з каналом p-типу (тип каналу: wzbogacany). Максимальна потужність розсіювання становить 1.2 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 62 мОм. У даних також зазначено максимальну напругу затвор-витік 12 В.
Конструкція та монтаж
Прилад виконаний у корпусі TSOT26. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Транзистор має версію ESD.
Комплектація
У комплекті постачається 40 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 62 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | TSOT26 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 350 ₴