Транзистор N/P-MOSFET комплементарна пара Diodes Incorporated DMC3016LSD-13, SO8, 30 шт.

Комплементарна пара транзисторів N/P-MOSFET від Diodes Incorporated, модель DMC3016LSD-13. Компоненти призначені для поверхневого монтажу в корпусі SO8. У комплекті 30 штук.

• Тип монтажу: поверхневий
• Корпус: SO8
• Максимальна потужність розсіювання: 1,2 Вт
• Максимальна напруга затвор-витік: 20 В
• Напруга дренаж-виток: 30/-30 В
• Струм дренажу: 8,2/-6,2 А
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Основні електричні параметри

Транзистори мають максимальну напругу затвор-витік 20 В. Максимальна потужність розсіювання становить 1,2 Вт. Напруга дренаж-виток дорівнює 30/-30 В, а струм дренажу — 8,2/-6,2 А. Опір у стані провідності — 0,028/0,016 Ом.

Корпус та монтаж

Компоненти виконані в корпусі SO8 для поверхневого монтажу. Тип транзистора вказаний як біполярний, хоча в описі зазначено MOSFET. Канал збагачений, полярність уніполярна.

Комплектація

У наборі 30 транзисторів.