Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW120SIC022-AQ, 1200 В, 85 А, TO247-3
5 030 ₴
- В наявності
- Код: TM202612
Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW120SIC022-AQ, 1200 В, 85 А, TO247-3В наявності
5 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду DIOTEC SEMICONDUCTOR, модель DIW120SIC022-AQ. Це силовий напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC) у корпусі TO247-3 зі струмом стоку 85 А.
- Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
- Технологія: SiC (карбід кремнію)
- Максимальна напруга: 1200 В
- Максимальний струм стоку: 85 А
- Потужність розсіювання: 340 Вт
- Корпус: TO247-3
Електричні параметри
Прилад має максимальну напругу затвор-витік 18 В та максимальний струм стоку 85 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 28 мОм. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 340 Вт.
Конструкція та монтаж
Транзистор виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію) у корпусі TO247-3. Тип монтажу — вставний (THT). Канал вбудований (wzbogacany), полярність уніполярна. Імпульсний струм становить 250 А, заряд затвора — 269 нКл. Прилад призначений для автомобільної галузі.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 340 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 18 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 85 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 28 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Корпус | TO247-3 |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 5 030 ₴