Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF120SIC028, 1200 В, 84 А, 715 Вт
2 870 ₴
- В наявності
- Код: TM202607
Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF120SIC028, 1200 В, 84 А, 715 ВтВ наявності
2 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIF120SIC028 виготовлений за технологією SiC. Пристрій розрахований на максимальну напругу 1200 В, струм стоку 84 А та розсіювання потужності до 715 Вт.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Технологія: SiC (карбід кремнію)
- Максимальна напруга: 1200 В
- Струм стоку: 84 А
- Потужність розсіювання: 715 Вт
- Корпус: TO247-4
Електричні параметри
Максимальна напруга затвор-витік становить 20 В, а максимально допустимий струм стоку — 84 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 26 мОм. Максимальна потужність розсіювання обмежена значенням 715 Вт.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO247-4 з вставним типом монтажу. Це польовий транзистор з каналом типу «wzbogacany» (збагачуваний) та уніполярною поляризацією.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 715 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 84 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 26 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Корпус | TO247-4 |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 870 ₴