Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF120SIC022-AQ, 1200 В, 85 А, TO247-4
5 030 ₴
- В наявності
- Код: TM202606
Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF120SIC022-AQ, 1200 В, 85 А, TO247-4В наявності
5 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIF120SIC022-AQ виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію). Прилад має максимальну напругу стік-витік 1,2 кВ та струм стоку 85 А.
- Технологія SiC
- Максимальна напруга 1200 В
- Струм стоку 85 А (імпульсний 250 А)
- Опір Rds 28 мОм
- Корпус TO247-4 з виведенням Кельвіна
- Потужність розсіювання 340 Вт
Електричні параметри
Максимальна напруга затвор-витік становить 18 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 28 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 340 Вт.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO247-4 з виведенням Кельвіна. Тип монтажу — вставний (THT). Струм у імпульсі може досягати 250 А, а заряд затвора становить 269 нКл. Канал транзистора — вбудований (wzbogacany), полярність — уніполярна. Компонент призначений для використання в автомобільній промисловості.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diotec Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 340 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 18 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 85 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 28 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Корпус | TO247-4 |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 5 030 ₴