Діодний модуль DACO Semiconductor DACSB600120CT, 1200 В, 300 А, SiC

Діодний модуль DACO Semiconductor DACSB600120CT — це напівпровідниковий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) з подвійною структурою та спільною катодом. Модуль розрахований на максимальну постійну зворотну напругу 1200 В та струм провідний струм 300 А на кожен діод.

• Технологія SiC (карбід кремнію)
• Максимальна зворотна напруга: 1200 В
• Провідний струм: 300 А x 2
• Максимальна пряма напруга: 1,6 В
• Корпус: Twin tower B
• Структура: подвійна, спільна катод

Електричні параметри

Модуль має максимальну постійну зворотну напругу 1200 В. Максимальна пряма напруга становить 1,6 В. Струм провідження (If) дорівнює 300 А для кожного з двох діодів у модулі.

Конструкція та технологія

Компонент виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію) і має структуру «подвійна, спільна катод». Корпус типу Twin tower B забезпечує механічне та електричне кріплення за допомогою прикручування.