Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19532KTT, 100 В, 200 А, D2PAK (набір 10 шт.)
2 910 ₴
- В наявності
- Код: TM202519
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19532KTT, 100 В, 200 А, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
2 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Texas Instruments CSD19532KTT — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі D2PAK.
- Тип транзистора: польовий N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Максимальний струм стоку: 200 А
- Потужність розсіювання: 250 Вт
- Опір у відкритому стані: 6,6 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж поверхневий
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 100 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 200 А, а імпульсний струм — 400 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 6,6 мОм.
Конструкція та монтаж
Пристрій виготовлений за технологією NexFET™ та має уніполярну структуру. Монтаж здійснюється поверхневим способом (SMD) у корпусі D2PAK. Максимальна потужність розсіювання становить 250 Вт.
Тип та канал керування
У наборі постачається 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 200 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6.6 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | NexFET™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 910 ₴