Діод ONSEMI BYW51-200G — це напівпровідниковий прилад комутаційного типу у корпусі TO220AB. Виробник вказує максимальну постійну зворотну напругу 200 В та максимальний прямий струм 16 А.
- Максимальна постійна зворотна напруга: 200 В
- Максимальний прямий струм: 16 А
- Максимально допустимий прямий імпульсний струм: 100 А
- Час готовності: 35 нс
- Корпус: TO220AB
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Діод має максимальну постійну зворотну напругу 200 В та максимальний прямий струм 16 А. Максимально допустимий прямий імпульсний струм становить 100 А. Час готовності (recovery time) дорівнює 35 нс.
Конструкція та монтаж
Прилад виконаний у корпусі TO220AB з товщиною радіатора 1.15–1.39 мм. Структура напівпровідника — подвійна зі спільною катодом. Тип монтажу — вставний (THT).
Особливості роботи
Напівпровідниковий елемент характеризується властивістю «ультрашвидке перемикання». Це визначає швидкість переходу діода у стан провідності та відсікання.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 100 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 200 В |
| Максимальний прямий струм | 16 А |
| Стан | Новий |
| Додаткові характеристики | |
| Тип монтажу | Вставний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 35 нс |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Товщина радіатора | 1.15-1.39 мм |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 420 ₴

