Транзистор P-MOSFET Infineon BSS223PWH6327XTSA1, SOT-323, 0,25 Вт (70 шт.)
2 050 ₴
- В наявності
- Код: TM202373
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS223PWH6327XTSA1, SOT-323, 0,25 Вт (70 шт.)В наявності
2 050 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSS223PWH6327XTSA1. Це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для поверхневого монтажу в корпусі PG-SOT-323. Комплект складається з 70 одиниць.
- Тип транзистора: польовий P-MOSFET
- Корпус: PG-SOT-323
- Потужність розсіювання: 0,25 Вт
- Напруга затвор-витік: 12 В
- Опір у відкритому стані: 1200 мОм
- Кількість у комплекті: 70 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 0,25 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 12 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 1200 мОм. Згідно з даними магазину, максимальний струм витоків — -0,39 А, а напруга — -20 В.
Конструкція та монтаж
Транзистор виготовлений за технологією OptiMOS™ P. Корпус: PG-SOT-323. Тип монтажу — поверхневий (SMD).
Комплектація
У наборі постачається 70 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1200 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 70 шт. |
| Корпус | PG-SOT-323 |
| Технологія | OptiMOS™ P |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 050 ₴