Транзистор P-MOSFET Infineon BSS209PWH6327XTSA1, 0,3 Вт, SOT-323 (70 шт.)
2 050 ₴
- В наявності
- Код: TM202371
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS209PWH6327XTSA1, 0,3 Вт, SOT-323 (70 шт.)В наявності
2 050 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSS209PWH6327XTSA1. Це уніполярний польовий транзистор з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) у корпусі PG-SOT-323 для поверхневого монтажу.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Корпус: PG-SOT-323, поверхневий монтаж
- Максимальна потужність розсіювання: 0,3 Вт
- Максимальна напруга затвор-витік: 12 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 550 мОм
- Кількість у комплекті: 70 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 0,3 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 12 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 550 мОм.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PG-SOT-323, що призначений для поверхневого монтажу (SMD). Використовується технологія OptiMOS™ P.
Комплектація
У наборі поставляється 70 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.3 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 550 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 70 шт. |
| Корпус | PG-SOT-323 |
| Технологія | OptiMOS™ P |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 050 ₴