Транзистор P-MOSFET Infineon BSP92PH6327XTSA1, набір 30 шт.
2 470 ₴
- В наявності
- Код: TM202369
Транзистор P-MOSFET Infineon BSP92PH6327XTSA1, набір 30 шт.В наявності
2 470 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSP92PH6327XTSA1. Це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для поверхневого монтажу в корпусі PG-SOT223. У комплекті поставляється 30 одиниць.
- Тип монтажу: поверхневий
- Корпус: PG-SOT223
- Максимальна потужність розсіювання: 1,8 Вт
- Максимальна напруга затвор-витік: 20 В
- Технологія: SIPMOS™
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу затвор-витік 20 В та максимальну потужність розсіювання 1,8 Вт. Згідно з даними продавця, пристрій характеризується напругою -250 В та струмом -0,26 А. Технологія виготовлення — SIPMOS™.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PG-SOT223 для поверхневого монтажу (SMD). Тип транзистора — польовий, уніполярний, з каналом збагачення.
Комплектація
У наборі міститься 30 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Технологія | SIPMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 470 ₴