Транзистор P-MOSFET Infineon Technologies BSP322PH6327XTSA1, -100 В, -1 А, 1,8 Вт (набір 30 шт.)
2 400 ₴
- В наявності
- Код: TM202368
Транзистор P-MOSFET Infineon Technologies BSP322PH6327XTSA1, -100 В, -1 А, 1,8 Вт (набір 30 шт.)В наявності
2 400 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор Infineon Technologies BSP322PH6327XTSA1 — польовий уніполярний транзистор P-MOSFET у корпусі PG-SOT223, тип монтажу — поверхневий. Параметри в назві TME: -100 В; -1 А; 1,8 Вт. У наборі 30 шт.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний
- Корпус: PG-SOT223
- Потужність розсіювання: 1,8 Вт
- Напруга затвор-витік (макс.): 20 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 800 мОм
- Кількість у наборі: 30 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання — 1,8 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 800 мОм.
Технологія
Технологія — SIPMOS™. Тип каналу — збагачений.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 800 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Технологія | SIPMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 400 ₴