Транзистор P-MOSFET Infineon BSP317PH6327XTSA1, 20 шт., корпус PG-SOT223
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM202367
Транзистор P-MOSFET Infineon BSP317PH6327XTSA1, 20 шт., корпус PG-SOT223В наявності
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSP317PH6327XTSA1. У комплекті 20 штук, корпус PG-SOT223, монтаж поверхневий.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Корпус: PG-SOT223
- Максимальна потужність розсіювання: 1,8 Вт
- Напруга затвор-витік: 20 В
- Опір у відкритому стані: 4000 мОм
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 1,8 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 4000 мОм.
Конструкція та монтаж
Тип транзистора — польовий. Технологія виготовлення — SIPMOS™. Корпус — PG-SOT223, тип монтажу — поверхневий.
Комплектація
У наборі 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.8 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Технологія | SIPMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 170 ₴