Транзистор P-MOSFET Infineon BSO211PHXUMA1, комплект 70 шт.
2 010 ₴
- В наявності
- Код: TM202366
Транзистор P-MOSFET Infineon BSO211PHXUMA1, комплект 70 шт.В наявності
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSO211PHXUMA1. Це польовий транзистор з каналом p-типу (wzbogacany) у корпусі PG-DSO-8 для поверхневого монтажу. У комплекті 70 одиниць.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Корпус: PG-DSO-8
- Максимальна потужність: 1,6 Вт
- Напруга затвор-витік: 12 В
- Опір у відкритому стані: 67 мОм
- Кількість у комплекті: 70 шт.
Електричні параметри
Максимальна потужність розсіювання становить 1,6 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік дорівнює 12 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 67 мОм.
Конструкція та монтаж
Транзистор виготовлений за технологією OptiMOS™ P. Корпус PG-DSO-8 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Тип монтажу — поверхневий.
Комплектація
У наборі 70 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.6 Вт |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 67 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 70 шт. |
| Корпус | PG-DSO-8 |
| Технологія | OptiMOS™ P |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 010 ₴